PMWD19UN,518
MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
PMWD19UN,518 Specifications
Statut de la pièce：
Obsolete
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique：
Logic Level Gate
Tension Drain-Source (Vdss)：
30V
Boîtier：
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fournisseur Dispositif Emballage：
8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id：
700mV @ 1mA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
23mOhm @ 3.5A, 4.5V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
28nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
1478pF @ 10V
Puissance - Max：
2.3W
