PMZB200UNE315
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
PMZB200UNE315 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Type de FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)：
30 V
Vgs (Max)：
±8V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
1.4A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
950mV @ 250µA
Boîtier：
SC-101, SOT-883
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
1.5V, 4.5V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
2.7 nC @ 4.5 V
Fournisseur Dispositif Emballage：
DFN1006B-3
Dissipation de puissance (Max)：
350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
89 pF @ 15 V
