PSMN1R9-40PL127
N-CHANNEL POWER MOSFET
PSMN1R9-40PL127 Specifications
Type de montage：
Through Hole
Statut de la pièce：
Active
Type de FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
FET Caractéristique：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Fournisseur Dispositif Emballage：
TO-220AB
Boîtier：
TO-220-3
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
4.5V, 10V
Tension Drain-Source (Vdss)：
40 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
230 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
13200 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
1.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.1V @ 1mA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
150A (Ta)
Dissipation de puissance (Max)：
349W (Ta)
