PSMN3R9-60XSQ
MOSFET N-CH 60V 75A TO220F
PSMN3R9-60XSQ Specifications
Statut de la pièce：
Obsolete
Type de montage：
Through Hole
Type de FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
10V
Vgs (Max)：
±20V
FET Caractéristique：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
-
Qualification：
-
Tension Drain-Source (Vdss)：
60 V
Fournisseur Dispositif Emballage：
TO-220F
Boîtier：
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
75A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
103 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
4mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (Max)：
55W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
5494 pF @ 25 V
