PSMN8R5-108ESQ
MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
PSMN8R5-108ESQ Specifications
Statut de la pièce：
Obsolete
Type de montage：
Through Hole
Type de FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
10V
Vgs (Max)：
±20V
FET Caractéristique：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
-
Qualification：
-
Fournisseur Dispositif Emballage：
I2PAK
Boîtier：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
Dissipation de puissance (Max)：
263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
8.5mOhm @ 25A, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
111 nC @ 10 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
100A (Tj)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
5512 pF @ 50 V
Tension Drain-Source (Vdss)：
108 V
