SI9936DY,518
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SO
SI9936DY,518 Specifications
Statut de la pièce：
Obsolete
Type de montage：
Surface Mount
Boîtier：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fournisseur Dispositif Emballage：
8-SO
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique：
Logic Level Gate
Tension Drain-Source (Vdss)：
30V
Puissance - Max：
900mW
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
50mOhm @ 5A, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
35nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
-
