BUK661R6-30C118
N-CHANNEL POWER MOSFET
BUK661R6-30C118 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：
10V
FETフィーチャー：
-
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード：
Automotive
認定：
AEC-Q101
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
30 V
パッケージ / ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs（最大）：
±16V
サプライヤーデバイスパッケージ：
D2PAK
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
120A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
1.6mOhm @ 25A, 10V
最大消費電力：
306W (Tc)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
229 nC @ 10 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
14964 pF @ 25 V
