PHN210,118
MOSFET 2N-CH 30V 8SO
PHN210,118 Specifications
部品ステータス：
Obsolete
実装タイプ：
Surface Mount
パッケージ / ケース：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-SO
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-65°C ~ 150°C (TJ)
パワー - 最大：
2W
コンフィギュレーション：
2 N-Channel (Dual)
FETフィーチャー：
Logic Level Gate
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 1mA
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
250pF @ 20V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
6nC @ 10V
