PMDPB42UN,115
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6HUSON
PMDPB42UN,115 Specifications
部品ステータス：
Obsolete
実装タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
コンフィギュレーション：
2 N-Channel (Dual)
FETフィーチャー：
Logic Level Gate
パッケージ / ケース：
6-UDFN Exposed Pad
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
3.9A
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
3.5nC @ 4.5V
サプライヤーデバイスパッケージ：
6-HUSON (2x2)
パワー - 最大：
510mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
50mOhm @ 3.9A, 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
185pF @ 10V
