PMDPB65UP,115
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6HUSON
PMDPB65UP,115 Specifications
部品ステータス:
Obsolete
実装タイプ:
Surface Mount
テクノロジー:
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度:
150°C (TJ)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss):
20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
FETフィーチャー:
Logic Level Gate
コンフィギュレーション:
2 P-Channel (Dual)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C:
3.5A
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs:
6nC @ 4.5V
パッケージ / ケース:
6-UDFN Exposed Pad
パワー - 最大:
520mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
70mOhm @ 1A, 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds:
380pF @ 10V
サプライヤーデバイスパッケージ:
6-HUSON (2x2)