PMDPB56XN,115
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6HUSON
PMDPB56XN,115 Specifications
部品ステータス：
Obsolete
実装タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.5V @ 250µA
コンフィギュレーション：
2 N-Channel (Dual)
FETフィーチャー：
Logic Level Gate
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
3.1A
パッケージ / ケース：
6-UDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ：
6-HUSON (2x2)
パワー - 最大：
510mW
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
170pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
73mOhm @ 3.1A, 4.5V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
2.9nC @ 4.5V
