PMGD8000LN,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
PMGD8000LN,115 Specifications
部品ステータス：
Obsolete
実装タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
コンフィギュレーション：
2 N-Channel (Dual)
FETフィーチャー：
Logic Level Gate
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
30V
パワー - 最大：
200mW
パッケージ / ケース：
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.5V @ 100µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
6-TSSOP
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
125mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
0.35nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
18.5pF @ 5V
