PMPB12UN,115
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
PMPB12UN,115 Specifications
部品ステータス：
Obsolete
実装タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETフィーチャー：
-
グレード：
-
認定：
-
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
20 V
Vgs（最大）：
±8V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：
1.8V, 4.5V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
13 nC @ 4.5 V
パッケージ / ケース：
6-UDFN Exposed Pad
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
18mOhm @ 7.9A, 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
886 pF @ 10 V
最大消費電力：
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
6-DFN2020MD (2x2)
