PMT200EN,115
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223
PMT200EN,115 Specifications
部品ステータス：
Obsolete
実装タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
Vgs（最大）：
±20V
FETフィーチャー：
-
グレード：
-
認定：
-
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
パッケージ / ケース：
TO-261-4, TO-261AA
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：
4.5V, 10V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
10 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
235mOhm @ 1.5A, 10V
サプライヤーデバイスパッケージ：
SC-73
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
475 pF @ 80 V
最大消費電力：
800mW (Ta), 8.3W (Tc)
