PMV65XPEA215
P-CHANNEL MOSFET
PMV65XPEA215 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETフィーチャー：
-
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
グレード：
Automotive
認定：
AEC-Q101
パッケージ / ケース：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FETタイプ：
P-Channel
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
20 V
Vgs（最大）：
±12V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：
2.5V, 4.5V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
2.8A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.25V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
9 nC @ 4.5 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-236AB
最大消費電力：
480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
78mOhm @ 2.8A, 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
618 pF @ 10 V
