PMWD19UN,518
MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
PMWD19UN,518 Specifications
部品ステータス：
Obsolete
実装タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
コンフィギュレーション：
2 N-Channel (Dual)
FETフィーチャー：
Logic Level Gate
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
30V
パッケージ / ケース：
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id：
700mV @ 1mA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
23mOhm @ 3.5A, 4.5V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
28nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
1478pF @ 10V
パワー - 最大：
2.3W
