PMZB200UNE315
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
PMZB200UNE315 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETフィーチャー：
-
グレード：
-
認定：
-
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
30 V
Vgs（最大）：
±8V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
1.4A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
950mV @ 250µA
パッケージ / ケース：
SC-101, SOT-883
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：
1.5V, 4.5V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
2.7 nC @ 4.5 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
DFN1006B-3
最大消費電力：
350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
250mOhm @ 1.4A, 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
89 pF @ 15 V
