PSMN1R9-40PL127
N-CHANNEL POWER MOSFET
PSMN1R9-40PL127 Specifications
実装タイプ：
Through Hole
部品ステータス：
Active
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
FETフィーチャー：
-
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-220AB
パッケージ / ケース：
TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：
4.5V, 10V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
40 V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
230 nC @ 10 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
13200 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
1.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.1V @ 1mA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
150A (Ta)
最大消費電力：
349W (Ta)
