SI9936DY,518
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SO
SI9936DY,518 Specifications
部品ステータス：
Obsolete
実装タイプ：
Surface Mount
パッケージ / ケース：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-SO
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
コンフィギュレーション：
2 N-Channel (Dual)
FETフィーチャー：
Logic Level Gate
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
30V
パワー - 最大：
900mW
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
50mOhm @ 5A, 10V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
35nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
-
