BUK661R6-30C118

N-CHANNEL POWER MOSFET

BUK661R6-30C118
部件编号:
BUK661R6-30C118
制造商:
NXP USA Inc.
描述:
N-CHANNEL POWER MOSFET
RoHS:
YES
数据表:
PDF
制造商标准交期:
待定
标准包装数量:
0

BUK661R6-30C118 规格

零件状态:
Active
安装类型:
Surface Mount
场效应晶体管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻):
10V
场效应晶体管特性:
-
工作温度:
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级:
Automotive
认证:
AEC-Q101
漏极至源极电压 (Vdss):
30 V
封装 / 外壳:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
最大栅源电压:
±16V
供应商器件封装:
D2PAK
连续漏极电流 (Id) @ 25°C:
120A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流:
2.8V @ 1mA
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压:
1.6mOhm @ 25A, 10V
最大功耗:
306W (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs:
229 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds:
14964 pF @ 25 V

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