PMN27XPE115
SMALL SIGNAL FET
PMN27XPE115 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性：
-
等级：
-
认证：
-
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型：
P-Channel
漏极至源极电压 (Vdss)：
20 V
最大栅源电压：
±12V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
4.4A (Ta)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）：
2.5V, 4.5V
供应商器件封装：
6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
1.25V @ 250µA
封装 / 外壳：
SC-74, SOT-457
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
30mOhm @ 3A, 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
1770 pF @ 10 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
22.5 nC @ 4.5 V
最大功耗：
530mW (Ta), 8.33W (Tc)
