PMPB16XN,115
MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN
PMPB16XN,115 规格
零件状态：
Obsolete
安装类型：
Surface Mount
场效应晶体管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性：
-
等级：
-
认证：
-
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
1.5V @ 250µA
漏极至源极电压 (Vdss)：
30 V
最大栅源电压：
±12V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
7.2A (Ta)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）：
2.5V, 4.5V
封装 / 外壳：
6-UDFN Exposed Pad
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
10.8 nC @ 4.5 V
最大功耗：
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
供应商器件封装：
6-DFN2020MD (2x2)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
21mOhm @ 7.2A, 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
775 pF @ 15 V
