PMV185XN,215
MOSFET N-CH 30V 1.1A TO236AB
PMV185XN,215 规格
零件状态：
Obsolete
安装类型：
Surface Mount
场效应晶体管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性：
-
等级：
-
认证：
-
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
1.5V @ 250µA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
1.1A (Ta)
漏极至源极电压 (Vdss)：
30 V
最大栅源电压：
±12V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）：
2.5V, 4.5V
供应商器件封装：
SOT-23 (TO-236AB)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
1.3 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
76 pF @ 15 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
250mOhm @ 1.1A, 4.5V
最大功耗：
325mW (Ta), 1.275W (Tc)
