PMZB200UNE315
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
PMZB200UNE315 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
场效应晶体管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性：
-
等级：
-
认证：
-
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)：
30 V
最大栅源电压：
±8V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
1.4A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
950mV @ 250µA
封装 / 外壳：
SC-101, SOT-883
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）：
1.5V, 4.5V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
2.7 nC @ 4.5 V
供应商器件封装：
DFN1006B-3
最大功耗：
350mW (Ta), 6.25W (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
250mOhm @ 1.4A, 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
89 pF @ 15 V
