PSMN7R6-60XSQ
MOSFET N-CH 60V 51.5A TO220F
PSMN7R6-60XSQ 规格
零件状态：
Obsolete
安装类型：
Through Hole
场效应晶体管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）：
10V
最大栅源电压：
±20V
场效应晶体管特性：
-
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级：
-
认证：
-
漏极至源极电压 (Vdss)：
60 V
供应商器件封装：
TO-220F
封装 / 外壳：
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
最大功耗：
46W (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
7.8mOhm @ 25A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
38.7 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
2651 pF @ 30 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
51.5A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
4.6V @ 1mA
